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IRLD110PBF

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
零件號
IRLD110PBF
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
4-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
功耗(最大)
1.3W (Ta)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
6.1nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
250pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
4V, 5V
Vgs(最大)
±10V
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