圖片可能僅供參考。
有關產品詳細信息,請參閱規格。
IRLD014PBF

IRLD014PBF

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
零件號
IRLD014PBF
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
4-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
功耗(最大)
1.3W (Ta)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
200 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
8.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
400pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
4V, 5V
Vgs(最大)
±10V
請求報價
請填寫所有必填字段,然後點擊提交,我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題,請留言或發送電子郵件至[email protected],我們會盡快回覆。
有存貨 35259 PCS
聯絡資訊
關鍵字:IRLD014PBF
IRLD014PBF 電子元件
IRLD014PBF 銷售
IRLD014PBF 供應商
IRLD014PBF 經銷商
IRLD014PBF 數據表
IRLD014PBF 相片
IRLD014PBF 價格
IRLD014PBF 提供
IRLD014PBF 最低價格
IRLD014PBF 搜尋
IRLD014PBF 購買
IRLD014PBF 晶片