SQJ912BEP-T1_GE3
MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
零件號
SQJ912BEP-T1_GE3
製造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
48W (Tc)
供應商設備包
PowerPAK® SO-8 Dual
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Standard
漏源電壓 (Vdss)
40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
11 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
3000pF @ 25V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 23035 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3 電子元件
SQJ912BEP-T1_GE3 銷售
SQJ912BEP-T1_GE3 供應商
SQJ912BEP-T1_GE3 經銷商
SQJ912BEP-T1_GE3 數據表
SQJ912BEP-T1_GE3 相片
SQJ912BEP-T1_GE3 價格
SQJ912BEP-T1_GE3 提供
SQJ912BEP-T1_GE3 最低價格
SQJ912BEP-T1_GE3 搜尋
SQJ912BEP-T1_GE3 購買
SQJ912BEP-T1_GE3 晶片