SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
零件號
SQJ200EP-T1_GE3
製造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
27W, 48W
供應商設備包
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Standard
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
20A, 60A
Rds On（最大）@Id、Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
975pF @ 10V
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