SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
零件號
SIZ200DT-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件狀態
Active
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-PowerWDFN
功率 - 最大
4.3W (Ta), 33W (Tc)
供應商設備包
8-PowerPair® (3.3x3.3)
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Standard
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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