SISS67DN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
零件號
SISS67DN-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen III
零件狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® 1212-8S
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8S
功耗（最大）
65.8W (Tc)
場效管類型
P-Channel
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
5.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
111nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
4380pF @ 15V
Vgs（最大）
±25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 10927 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SISS67DN-T1-GE3
SISS67DN-T1-GE3 電子元件
SISS67DN-T1-GE3 銷售
SISS67DN-T1-GE3 供應商
SISS67DN-T1-GE3 經銷商
SISS67DN-T1-GE3 數據表
SISS67DN-T1-GE3 相片
SISS67DN-T1-GE3 價格
SISS67DN-T1-GE3 提供
SISS67DN-T1-GE3 最低價格
SISS67DN-T1-GE3 搜尋
SISS67DN-T1-GE3 購買
SISS67DN-T1-GE3 晶片