SISS06DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
零件號
SISS06DN-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® 1212-8S
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8S
功耗（最大）
5W (Ta), 65.7W (Tc)
場效管類型
N-Channel
漏源電壓 (Vdss)
30V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
77nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
3660pF @ 15V
Vgs（最大）
+20V, -16V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
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