SIRA58ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V
零件號
SIRA58ADP-T1-RE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
5W (Ta), 56.8W (Tc)
場效管類型
N-Channel
漏源電壓 (Vdss)
40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
61nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
3030pF @ 20V
Vgs（最大）
+20V, -16V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
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