SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
零件號
SIRA00DP-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
6.25W (Ta), 104W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
220nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
11700pF @ 15V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
Vgs（最大）
+20V, -16V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 43809 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SIRA00DP-T1-GE3
SIRA00DP-T1-GE3 電子元件
SIRA00DP-T1-GE3 銷售
SIRA00DP-T1-GE3 供應商
SIRA00DP-T1-GE3 經銷商
SIRA00DP-T1-GE3 數據表
SIRA00DP-T1-GE3 相片
SIRA00DP-T1-GE3 價格
SIRA00DP-T1-GE3 提供
SIRA00DP-T1-GE3 最低價格
SIRA00DP-T1-GE3 搜尋
SIRA00DP-T1-GE3 購買
SIRA00DP-T1-GE3 晶片