SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
零件號
SIR800DP-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
5.2W (Ta), 69W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
133nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
5125pF @ 10V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
2.5V, 10V
Vgs（最大）
±12V
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