圖片可能僅供參考。
有關產品詳細信息,請參閱規格。
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
零件號
SIR770DP-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
17.8W
供應商設備包
PowerPAK® SO-8 Dual
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
8A
Rds On(最大)@Id、Vgs
21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.8V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
900pF @ 15V
請求報價
請填寫所有必填字段,然後點擊提交,我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題,請留言或發送電子郵件至[email protected],我們會盡快回覆。
有存貨 54469 PCS
聯絡資訊
關鍵字:SIR770DP-T1-GE3
SIR770DP-T1-GE3 電子元件
SIR770DP-T1-GE3 銷售
SIR770DP-T1-GE3 供應商
SIR770DP-T1-GE3 經銷商
SIR770DP-T1-GE3 數據表
SIR770DP-T1-GE3 相片
SIR770DP-T1-GE3 價格
SIR770DP-T1-GE3 提供
SIR770DP-T1-GE3 最低價格
SIR770DP-T1-GE3 搜尋
SIR770DP-T1-GE3 購買
SIR770DP-T1-GE3 晶片