SIR610DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
零件號
SIR610DP-T1-RE3
製造商/品牌
系列
ThunderFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
104W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
35.4A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1380pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
7.5V, 10V
Vgs（最大）
±20V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 8079 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SIR610DP-T1-RE3
SIR610DP-T1-RE3 電子元件
SIR610DP-T1-RE3 銷售
SIR610DP-T1-RE3 供應商
SIR610DP-T1-RE3 經銷商
SIR610DP-T1-RE3 數據表
SIR610DP-T1-RE3 相片
SIR610DP-T1-RE3 價格
SIR610DP-T1-RE3 提供
SIR610DP-T1-RE3 最低價格
SIR610DP-T1-RE3 搜尋
SIR610DP-T1-RE3 購買
SIR610DP-T1-RE3 晶片