SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
零件號
SIHP12N50C-E3
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-220-3
供應商設備包
-
功耗（最大）
208W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
500V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1375pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
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