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SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
零件號
SIHG17N60D-E3
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-247-3
供應商設備包
TO-247AC
功耗(最大)
277.8W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
340 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
1780pF @ 100V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±30V
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