SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
零件號
SI9407BDY-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SO
功耗（最大）
2.4W (Ta), 5W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
600pF @ 30V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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