SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
零件號
SI7860DP-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
1.8W (Ta)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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