SI7802DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
零件號
SI7802DN-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® 1212-8
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
功耗（最大）
1.5W (Ta)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
250V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.24A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
435 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.6V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
6V, 10V
Vgs（最大）
±20V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 43513 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SI7802DN-T1-GE3
SI7802DN-T1-GE3 電子元件
SI7802DN-T1-GE3 銷售
SI7802DN-T1-GE3 供應商
SI7802DN-T1-GE3 經銷商
SI7802DN-T1-GE3 數據表
SI7802DN-T1-GE3 相片
SI7802DN-T1-GE3 價格
SI7802DN-T1-GE3 提供
SI7802DN-T1-GE3 最低價格
SI7802DN-T1-GE3 搜尋
SI7802DN-T1-GE3 購買
SI7802DN-T1-GE3 晶片