SI7686DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
零件號
SI7686DP-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
功耗（最大）
5W (Ta), 37.9W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
26nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1220pF @ 15V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
Vgs（最大）
±20V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 54077 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SI7686DP-T1-E3
SI7686DP-T1-E3 電子元件
SI7686DP-T1-E3 銷售
SI7686DP-T1-E3 供應商
SI7686DP-T1-E3 經銷商
SI7686DP-T1-E3 數據表
SI7686DP-T1-E3 相片
SI7686DP-T1-E3 價格
SI7686DP-T1-E3 提供
SI7686DP-T1-E3 最低價格
SI7686DP-T1-E3 搜尋
SI7686DP-T1-E3 購買
SI7686DP-T1-E3 晶片