SI7611DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
零件號
SI7611DN-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® 1212-8
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
功耗（最大）
3.7W (Ta), 39W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
40V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
25 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
62nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1980pF @ 20V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
4.5V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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