SI5401DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
零件號
SI5401DC-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
1206-8 ChipFET™
功耗（最大）
1.3W (Ta)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
32 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
25nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
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