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SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
零件號
SI4922BDY-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
3.1W
供應商設備包
8-SO
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Standard
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
8A
Rds On(最大)@Id、Vgs
16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.8V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
62nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
2070pF @ 15V
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