SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
零件號
SI4900DY-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
3.1W
供應商設備包
8-SO
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5.3A
Rds On（最大）@Id、Vgs
58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
665pF @ 15V
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