SI4500BDY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
零件號
SI4500BDY-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Cut Tape (CT)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.3W
供應商設備包
8-SO
場效管類型
N and P-Channel, Common Drain
場效電晶體特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
6.6A, 3.8A
Rds On（最大）@Id、Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
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