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SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
零件號
SI3410DV-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
6-TSOP
功耗(最大)
2W (Ta), 4.1W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
19.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
33nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
1295pF @ 15V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
4.5V, 10V
Vgs(最大)
±20V
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