購買 Toshiba Semiconductor and Storage TK39J60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P - YYIC

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TK39J60W,S1VQ

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TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

零件號

TK39J60W,S1VQ

製造商/品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

DTMOSIV

零件狀態

Active

包裝

Tube

科技

MOSFET (Metal Oxide)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包

TO-3P(N)

功耗（最大）

270W (Tc)

場效管類型

N-Channel

場效電晶體特性

Super Junction

漏源電壓 (Vdss)

600V

電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C

38.8A (Ta)

Rds On（最大）@Id、Vgs

65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

3.7V @ 1.9mA

閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs

110nC @ 10V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds

4100pF @ 300V

驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）

10V

Vgs（最大）

±30V

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