圖片可能僅供參考。
有關產品詳細信息,請參閱規格。
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
零件號
TK39J60W,S1VQ
系列
DTMOSIV
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包
TO-3P(N)
功耗(最大)
270W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
Super Junction
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Rds On(最大)@Id、Vgs
65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3.7V @ 1.9mA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
4100pF @ 300V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±30V
請求報價
請填寫所有必填字段,然後點擊提交,我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題,請留言或發送電子郵件至[email protected],我們會盡快回覆。
有存貨 23622 PCS
聯絡資訊
關鍵字:TK39J60W,S1VQ
TK39J60W,S1VQ 電子元件
TK39J60W,S1VQ 銷售
TK39J60W,S1VQ 供應商
TK39J60W,S1VQ 經銷商
TK39J60W,S1VQ 數據表
TK39J60W,S1VQ 相片
TK39J60W,S1VQ 價格
TK39J60W,S1VQ 提供
TK39J60W,S1VQ 最低價格
TK39J60W,S1VQ 搜尋
TK39J60W,S1VQ 購買
TK39J60W,S1VQ 晶片