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TH58BYG2S3HBAI6
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
零件號
TH58BYG2S3HBAI6
製造商/品牌
系列
Benand™
零件狀態
Active
包裝
Tray
科技
FLASH - NAND (SLC)
工作溫度
-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
67-VFBGA
供應商設備包
67-VFBGA (6.5x8)
電壓 - 電源
1.7 V ~ 1.95 V
記憶體型
Non-Volatile
記憶體大小
4Gb (512M x 8)
訪問時間
25ns
時脈頻率
-
記憶體格式
Flash
寫入周期時間 - 字、頁
25ns
記憶體介面
Parallel
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