SCT50N120
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
零件號
SCT50N120
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
工作溫度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-247-3
供應商設備包
HiP247™
功耗（最大）
318W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
1200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
69 mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 1mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
122nC @ 20V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1900pF @ 400V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
20V
Vgs（最大）
+25V, -10V
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