VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
場效電晶體特性
Logic Level Gate, 1.2V Drive
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
100mA
Rds On(最大)@Id、Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1V @ 100µA
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
7.1pF @ 10V
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