SCT3060ALGC11
MOSFET NCH 650V 39A TO247N
零件號
SCT3060ALGC11
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-247-3
供應商設備包
TO-247N
功耗（最大）
165W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
650V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
78 mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th)（最大值）@Id
5.6V @ 6.67mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
58nC @ 18V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
852pF @ 500V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
18V
Vgs（最大）
+22V, -4V
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