QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
零件號
QJD1210011
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Bulk
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝/箱
Module
功率 - 最大
900W
供應商設備包
Module
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Standard
漏源電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
100A
Rds On（最大）@Id、Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 10mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
500nC @ 20V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
10200pF @ 800V
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