FQD4N20TM
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
零件號
FQD4N20TM
製造商/品牌
系列
QFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
D-Pak
功耗（最大）
2.5W (Ta), 30W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
1.4 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
6.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
220pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 5814 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:FQD4N20TM
FQD4N20TM 電子元件
FQD4N20TM 銷售
FQD4N20TM 供應商
FQD4N20TM 經銷商
FQD4N20TM 數據表
FQD4N20TM 相片
FQD4N20TM 價格
FQD4N20TM 提供
FQD4N20TM 最低價格
FQD4N20TM 搜尋
FQD4N20TM 購買
FQD4N20TM 晶片