ON Semiconductor
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FQB9N08TM
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FQB9N08TM

MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
零件號
FQB9N08TM
製造商/品牌
ON Semiconductor
系列
QFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包
D²PAK (TO-263AB)
功耗（最大）
3.75W (Ta), 40W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
80V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
7.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
250pF @ 25V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±25V
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