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FDD5N60NZTM

FDD5N60NZTM

MOSFET N-CH 600V DPAK-3
零件號
FDD5N60NZTM
製造商/品牌
系列
UniFET-II™
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
D-Pak
功耗(最大)
83W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
600pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±25V
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