ON Semiconductor
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FDD5612
數據表

FDD5612

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
零件號
FDD5612
製造商/品牌
ON Semiconductor
系列
PowerTrench®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
TO-252-3
功耗（最大）
3.8W (Ta), 42W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
5.4A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
55 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
660pF @ 30V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
6V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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