FCP650N80Z
MOSFET N-CH 800V 10A
零件號
FCP650N80Z
製造商/品牌
系列
SuperFET® II
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-220-3
供應商設備包
TO-220
功耗（最大）
162W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
800V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 800µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1565pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±20V
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