購買 NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK - YYIC

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PHB110NQ06LT,118

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PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

零件號

PHB110NQ06LT,118

製造商/品牌

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

零件狀態

Obsolete

包裝

Tape & Reel (TR)

科技

MOSFET (Metal Oxide)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包

D2PAK

功耗（最大）

200W (Tc)

場效管類型

N-Channel

場效電晶體特性

-

漏源電壓 (Vdss)

55V

電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C

75A (Tc)

Rds On（最大）@Id、Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2V @ 1mA

閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs

45nC @ 5V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds

3960pF @ 25V

驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）

4.5V, 10V

Vgs（最大）

±15V

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