LSIC1MO120E0160
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
零件號
LSIC1MO120E0160
製造商/品牌
零件狀態
Active
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
TO-247-3
供應商設備包
TO-247-3
功耗（最大）
125W (Tc)
場效管類型
N-Channel
漏源電壓 (Vdss)
1200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 5mA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
57nC @ 20V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
870pF @ 800V
Vgs（最大）
+22V, -6V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
20V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 35988 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:LSIC1MO120E0160
LSIC1MO120E0160 電子元件
LSIC1MO120E0160 銷售
LSIC1MO120E0160 供應商
LSIC1MO120E0160 經銷商
LSIC1MO120E0160 數據表
LSIC1MO120E0160 相片
LSIC1MO120E0160 價格
LSIC1MO120E0160 提供
LSIC1MO120E0160 最低價格
LSIC1MO120E0160 搜尋
LSIC1MO120E0160 購買
LSIC1MO120E0160 晶片