IRG8CH137K10F
IGBT CHIP WAFER
零件號
IRG8CH137K10F
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
-
輸入類型
Standard
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
Die
功率 - 最大
-
供應商設備包
Die
反向恢復時間 (trr)
-
集極電流 (Ic)（最大）
150A
電壓 - 集極射極擊穿（最大）
1200V
IGBT類型
-
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic
2V @ 15V, 150A
集極脈衝電流 (Icm)
-
開關能量
-
閘極電荷
820nC
Td（開/關）@ 25°C
115ns/570ns
測試條件
600V, 150A, 2 Ohm, 15V
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