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IPD50N03S207ATMA1

IPD50N03S207ATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
零件號
IPD50N03S207ATMA1
製造商/品牌
系列
OptiMOS™
零件狀態
Active
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
PG-TO252-3
功耗(最大)
136W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs
7.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 85µA
閘極電荷 (Qg)(最大值)@Vgs
68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@Vds
2000pF @ 25V
驅動電壓(最大導通電阻、最小導通電阻)
10V
Vgs(最大)
±20V
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