HTNFET-DC
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
零件號
HTNFET-DC
系列
HTMOS™
零件狀態
Active
包裝
Tube
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-
安裝類型
Through Hole
包裝/箱
8-CDIP Exposed Pad
供應商設備包
-
功耗（最大）
50W (Tj)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
55V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
-
Rds On（最大）@Id、Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 100µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
4.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
290pF @ 28V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
5V
Vgs（最大）
10V
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