SIS435DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
零件號
SIS435DNT-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Digi-Reel®
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® 1212-8
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
功耗（最大）
3.7W (Ta), 39W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
5.4 mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
180nC @ 8V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
5700pF @ 10V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至chen_hx1688@hotmail.com，我們會盡快回覆。
有存貨 19227 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SIS435DNT-T1-GE3
SIS435DNT-T1-GE3 電子元件
SIS435DNT-T1-GE3 銷售
SIS435DNT-T1-GE3 供應商
SIS435DNT-T1-GE3 經銷商
SIS435DNT-T1-GE3 數據表
SIS435DNT-T1-GE3 相片
SIS435DNT-T1-GE3 價格
SIS435DNT-T1-GE3 提供
SIS435DNT-T1-GE3 最低價格
SIS435DNT-T1-GE3 搜尋
SIS435DNT-T1-GE3 購買
SIS435DNT-T1-GE3 晶片