SIHD7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
零件號
SIHD7N60E-GE3
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Bulk
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包
D-Pak
功耗（最大）
78W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
600V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
600 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
680pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
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