SIE836DF-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
零件號
SIE836DF-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
10-PolarPAK® (SH)
供應商設備包
10-PolarPAK® (SH)
功耗（最大）
5.2W (Ta), 104W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
18.3A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1200pF @ 100V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
10V
Vgs（最大）
±30V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 39607 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3 電子元件
SIE836DF-T1-E3 銷售
SIE836DF-T1-E3 供應商
SIE836DF-T1-E3 經銷商
SIE836DF-T1-E3 數據表
SIE836DF-T1-E3 相片
SIE836DF-T1-E3 價格
SIE836DF-T1-E3 提供
SIE836DF-T1-E3 最低價格
SIE836DF-T1-E3 搜尋
SIE836DF-T1-E3 購買
SIE836DF-T1-E3 晶片