SIDR610DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC
零件號
SIDR610DP-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SO-8
供應商設備包
PowerPAK® SO-8DC
功耗（最大）
6.25W (Ta), 125W (Tc)
場效管類型
N-Channel
漏源電壓 (Vdss)
200V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
31.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
1380pF @ 100V
Vgs（最大）
±20V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
7.5V, 10V
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