SIB411DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
零件號
SIB411DK-T1-GE3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
PowerPAK® SC-75-6L
供應商設備包
PowerPAK® SC-75-6L Single
功耗（最大）
2.4W (Ta), 13W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
66 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
15nC @ 8V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
470pF @ 10V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 50164 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SIB411DK-T1-GE3
SIB411DK-T1-GE3 電子元件
SIB411DK-T1-GE3 銷售
SIB411DK-T1-GE3 供應商
SIB411DK-T1-GE3 經銷商
SIB411DK-T1-GE3 數據表
SIB411DK-T1-GE3 相片
SIB411DK-T1-GE3 價格
SIB411DK-T1-GE3 提供
SIB411DK-T1-GE3 最低價格
SIB411DK-T1-GE3 搜尋
SIB411DK-T1-GE3 購買
SIB411DK-T1-GE3 晶片