SI9926BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
零件號
SI9926BDY-T1-E3
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Digi-Reel®
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.14W
供應商設備包
8-SO
場效管類型
2 N-Channel (Dual)
場效電晶體特性
Logic Level Gate
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
6.2A
Rds On（最大）@Id、Vgs
20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
20nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
請求報價
請填寫所有必填字段，然後點擊提交，我們將在12小時內透過電子郵件與您聯繫。如果您有任何問題，請留言或發送電子郵件至[email protected]，我們會盡快回覆。
有存貨 30289 PCS
聯絡資訊
相關產品
關鍵字:SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3 電子元件
SI9926BDY-T1-E3 銷售
SI9926BDY-T1-E3 供應商
SI9926BDY-T1-E3 經銷商
SI9926BDY-T1-E3 數據表
SI9926BDY-T1-E3 相片
SI9926BDY-T1-E3 價格
SI9926BDY-T1-E3 提供
SI9926BDY-T1-E3 最低價格
SI9926BDY-T1-E3 搜尋
SI9926BDY-T1-E3 購買
SI9926BDY-T1-E3 晶片