SI8417DB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP
零件號
SI8417DB-T2-E1
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Obsolete
包裝
Tape & Reel (TR)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
6-MICRO FOOT™
供應商設備包
6-Micro Foot™ (1.5x1)
功耗（最大）
2.9W (Ta), 6.57W (Tc)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
12V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs
21 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
57nC @ 5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
2220pF @ 6V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.8V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
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