SI8410DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
零件號
SI8410DB-T2-E1
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
4-UFBGA
供應商設備包
4-Micro Foot (1x1)
功耗（最大）
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
-
Rds On（最大）@Id、Vgs
37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
850mV @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
16nC @ 8V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
620pF @ 10V
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
1.5V, 4.5V
Vgs（最大）
±8V
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