SI8409DB-T1-E1
MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
零件號
SI8409DB-T1-E1
製造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
4-XFBGA, CSPBGA
供應商設備包
4-Microfoot
功耗（最大）
1.47W (Ta)
場效管類型
P-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
30V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.4V @ 250µA
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
26nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
2.5V, 4.5V
Vgs（最大）
±12V
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