SI3430DV-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
零件號
SI3430DV-T1-E3
製造商/品牌
系列
-
零件狀態
Active
包裝
Cut Tape (CT)
科技
MOSFET (Metal Oxide)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝/箱
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
6-TSOP
功耗（最大）
1.14W (Ta)
場效管類型
N-Channel
場效電晶體特性
-
漏源電壓 (Vdss)
100V
電流 - 連續汲極 (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA (Min)
閘極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs
6.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds
-
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）
6V, 10V
Vgs（最大）
±20V
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